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  • 型号: IPB530N15N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB530N15N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB530N15N3 G价格参考。InfineonIPB530N15N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB530N15N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB530N15N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB530N15N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD530N15N3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c

产品型号

IPB530N15N3 G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

68 W

Pd-功率耗散

68 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

53 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

53 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 35µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

887pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

53 毫欧 @ 18A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-2

其它名称

IPB530N15N3 G-ND
IPB530N15N3G
IPB530N15N3GATMA1
SP000521718

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

68W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-6

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

系列

IPB530N15

配置

Single

零件号别名

IPB530N15N3GATMA1 SP000521718

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